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44 W超高功率808 nm半导体激光器的设计与制作
材料来源:激光世界           录入时间:2016/1/28 15:36:41

/仇伯仓,胡海,何晋国;深圳清华大学研究院,深圳瑞波光电子有限公司

 

808 nm9xx nm为代表的高功率激光器件已经成为激光加工系统的核心部件。高功率激光芯片有若干重要技术指标,包括能量转换效率以及器件的运行可靠性等。能量转换效率主要取决于芯片的外延结构与器件结构设计,而运行可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。本文首先简要综述高功率激光器的设计思想以及腔面处理方法,随后展示深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发808 nm高功率单管激光芯片方面所取得的主要进展。

 

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http://www.laserfocusworld.cn/PDF/2016/0102/Technologies_Center.pdf

 


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